Micron Technology hat heute Arbeits- und Datenspeicherinnovationen in seinem Portfolio vorgestellt, die auf der branchenführenden 176-Layer NAND- und 1α (1-alpha) DRAM-Technologie sowie der branchenweit ersten Universal Flash-Speicher (UFS) 3.1-Lösung für Automobilanwendungen basieren.
Die neuen Portfolio-Ergänzungen erfüllen die Unternehmensvision, datengesteuerte Erkenntnisse durch Arbeits- und Datenspeicher-Innovationen zu beschleunigen, die neue Funktionen vom Rechenzentrum bis zur Intelligent Edge ermöglichen. Der Präsident und CEO von Micron, Sanjay Mehrotra, gab die Ankündigungen während einer Computex-Keynote bekannt, in der er eine umfassende Vision für Computerinnovationen und die zentrale Rolle von Arbeits- und Datenspeichern darlegte, die es Unternehmen ermöglichen, das volle Potenzial der Datenwirtschaft auszuschöpfen.
Micron kündigte die Lieferung seiner ersten PCIe® Gen4-Solid-State-Drives (SSDs) an, die mit dem weltweit ersten 176-Layer NAND gebaut wurden. Das Unternehmen liefert diesen Monat auch den weltweit ersten 1α Knoten-basierten LPDDR4x-DRAM. LPDDR4x ist die neueste JEDEC-Spezifikation für DRAMs der vierten Generation mit geringem Stromverbrauch und verbesserter Eingangs-/Ausgangsspannung für wesentlich geringere Leistung, dadurch ist es ideal für Mobile Computing Geräte geeignet. Zusammen stärken diese neuesten Versionen die Führungsposition von Micron im Bereich der in diesem Jahr etablierten DRAM- und NAND-Technologie.
Die neuesten SSDs des Unternehmens, die Micron 3400 und 2450, bieten hohe Leistung und Designflexibilität bei geringem Stromverbrauch, um den täglichen Einsatz in professionellen Workstations bis zu ultradünnen Notebooks zu ermöglichen. Die Micron 3400 SSD bietet den doppelten Lesedurchsatz und einen um bis zu 85% höheren Schreibdurchsatz[1] und speist anspruchsvolle Anwendungen wie Echtzeit-3D-Rendering, computergestütztes Design, Spiele und Animation. Für Kunden, die mit der PCIe Gen4-Leistung den besten Wert suchen, bietet die Micron 2450 SSD eine äußerst reaktionsschnelle Benutzererfahrung für den täglichen Gebrauch. Die 2450 SSD ist in drei Formfaktoren erhältlich, die kleinste ist die 22x30 mm M.2, um eine immense Designflexibilität zu bieten.
Aufgrund ihrer fortschrittlichen Energieeffizienz sind die Micron 3400 und 2450 in der Komponentenliste der Intel® Modern Standby Partner Portal-Plattform aufgeführt und erfüllen die Open Labs Testanforderungen an SSDS des Intel Project Athena®. Darüber hinaus wurden beide Micron-SSDs für die PCIe Power Speed Policy von AMD und Microsoft Windows Modern Standby validiert.
Micron liefert in diesem Monat LPDDR4x in großen Mengen auf seinem führenden 1α-Knoten aus, kurz nach der Einführung der ersten 1α-Knoten-DRAM-Produkte im Januar 2021. Das Unternehmen hat außerdem die Validierung seines 1α-basierten DDR4 auf führenden Rechenzentrumsplattformen, einschließlich AMD EPYC der 3. Generation, abgeschlossen. Beide werden in den fortschrittlichen DRAM-Fertigungsanlagen von Micron in Taiwan, einschließlich der neu errichteten A3-Anlage in Taichung, serienmäßig produziert.
Die schnelle Bereitstellung von Micron 1α-basiertem Speicher auf dem Markt bietet fortschrittliche Technologie, um Innovationen von datenzentrierten Workloads auf Serverplattformen bis hin zu schlanken Verbraucher-Notebooks voranzutreiben. 1α ermöglicht Verbesserungen der Energieeffizienz für den Speicher und bringt Mobilitätsvorteile für Notebooks, indem eine längere Akkulaufzeit sowohl für die Arbeit als auch für das Lernen von zu Hause aus ermöglicht wird. Inmitten steigender Trends bei Fernarbeit und Schulbildung hat Micron eng mit führenden Systemanbietern auf der ganzen Welt zusammengearbeitet, um die steigende Nachfrage nach PCs zu befriedigen. Diese Bemühungen umfassen eine enge Zusammenarbeit mit dem führenden taiwanesischen OEM Acer bei der Integration von 1α-basierten LPDDR4x und DDR4 in Acer-Systeme.
Der 1α-Knotenprozess bietet außerdem eine 40%-ige Verbesserung der Speicherdichte und eine bis zu 20%-ige Verbesserung der Energieeinsparungen für mobile Anwendungsfälle im Vergleich zum vorherigen 1z-Knoten LPDDR4x. Diese Energieeinsparung ist ideal für Mobiltelefone, bei denen die Akkulaufzeit erhalten bleiben muss, insbesondere bei speicherintensiven Anwendungsfällen wie der Aufnahme von Fotos und Videos.
Micron bringt Innovationen im Bereich Intelligent Edge und gibt bekannt, dass es im Rahmen seines neuen Portfolios von UFS 3.1-verwalteten NAND-Produkten für Automobilanwendungen 128 GB- und 256 GB-Dichten seines 96-Layer-NAND sampelt. Das UFS 3.1-Portfolio von Micron bietet Infotainment-Systeme mit hochauflösenden Displays und auf künstlicher Intelligenz (KI) basierenden Mensch-Maschine-Schnittstellenfunktionen und bietet den dringend benötigten Speicher mit hohem Durchsatz und geringer Latenz.
Micron UFS 3.1 bietet eine doppelt so schnelle Leseleistung wie UFS 2.1, ermöglicht schnelle Startzeiten und minimiert die Latenz für datenintensives Infotainment im Fahrzeug und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS). UFS 3.1 bietet außerdem eine um 50 % schnellere dauerhafte Schreibleistung, um mit den lokalen Echtzeitspeicheranforderungen wachsender Sensor- und Kameradaten für ADAS-Systeme der Stufe 3+ und Black-Box-Anwendungen Schritt zu halten.
Das Marktforschungs- und Strategieberatungsunternehmen Yole Développement (Yole) prognostiziert, dass der Markt für NAND in der Automobilindustrie bis 2025 auf 3,6 Milliarden US-Dollar anwachsen wird, was einer Vervierfachung von 0,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020 entspricht. Da Fahrzeuge immer mehr auf Software ausgerichtet sind, erfordern diese neuen Datenzentren Hochleistungsspeicher, um große Informationsmengen für eine nahezu sofortige Verarbeitung verfügbar zu machen. ADAS-fähige Fahrzeuge enthalten jetzt über 100 Millionen Codezeilen, die gespeichert und schnell gelesen werden müssen, um eine schnellere Benutzererfahrung und schnelle Entscheidungen am Rande zu erzielen.
Micron hat auch mit seinem 2020 gestarteten Technology Enablement Program (TEP) für DDR5 bedeutende Impulse gesetzt, um die Markteinführung des neuesten DRAM zu beschleunigen und das Ökosystem auf die breite Einführung von DDR5-fähigen Plattformen vorzubereiten, die im nächsten Jahr erwartet wird. Das Programm hat inzwischen mehr als 250 Design- und technische Führungskräfte aus mehr als 100 Branchenführern vereint, darunter System- und Silizium-Enabler, Channel-Partner, Cloud-Service-Provider und OEMs.

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